近日，清研电子相关技术创新受到CCTV-2央视财经关注。围绕自主研发的PIFs干法技术体系，清研电子正在构建覆盖高端电子材料与智能能源应用的技术布局。其中，高端PTFE覆铜板面向AI服务器高速互联需求，干法基超级电容器则聚焦AI数据中心能源保障场景。从材料端到应用端，清研电子正在探索面向下一代算力基础设施的技术路径。

在AI服务器和高速通信设备中，PCB承担着芯片与模块之间的数据连接功能，而覆铜板作为PCB制造的核心材料，其性能直接影响信号传输效率和系统可靠性。

随着AI服务器向更高算力、更高速互联方向发展，传统覆铜板材料在低损耗、高频性能以及加工稳定性方面面临新的挑战。

PTFE基覆铜板凭借低介电损耗、高频高速性能等优势，成为高端通信、服务器及AI基础设施领域的重要材料方向。

针对高端电子材料领域的技术需求，清研电子围绕高端PTFE基覆铜板进行产品开发，通过优化材料结构和干法工艺，提高产品综合性能。

其中，材料刚度是高端PCB制造过程中的关键指标之一。

在PCB加工环节，钻孔加工精度直接影响线路连接可靠性。随着AI服务器、高速交换设备对PCB层数、线路密度以及加工精度要求不断提高，覆铜板材料稳定性的重要性进一步提升。

清研电子高端PTFE覆铜板产品具备较好的机械刚度，有利于提高钻孔加工过程中的稳定性，降低加工偏差，为高精度PCB制造提供材料支持。

同时，产品兼顾低介电损耗、高频高速传输等性能需求，可满足AI服务器、高速通信设备等应用场景对电子材料性能的要求。

AI产业链的发展，需要芯片、服务器、数据中心以及基础材料等多个环节协同。

高性能覆铜板虽然处于产业链上游，却直接影响AI硬件系统的数据传输效率和运行可靠性。

目前，清研电子正在推进高端覆铜板产业化建设：

2026年底，公司高端覆铜板年产能将达到30万平方米；

2027年底，公司计划进一步增加100万平方米产能。

随着产能建设推进，清研电子将进一步提升高端PTFE覆铜板规模化供应能力，服务高速通信、AI服务器以及AIDC等市场需求。

随着AIDC快速发展，能源保障成为算力基础设施新课题。AIDC建设不仅需要提升计算能力，同时需要更加高效、可靠的能源管理方案。峰值功率管理、快速功率响应以及电能质量优化，将成为数据中心能源系统的重要发展方向。

清研电子干法基超级电容器具有高功率密度、快速充放电、长循环寿命等特点，在需要快速能量响应的应用场景中具备技术优势。

在未来AIDC能源系统中，干法基超级电容器可作为辅助能源调节单元，参与峰值功率管理和瞬态负载响应，提高能源系统运行稳定性。

清研电子形成了面向AI基础设施的双向技术布局：

一方面，高端PTFE覆铜板服务AI服务器高速数据传输需求；

另一方面，干法基超级电容器面向AIDC能源保障需求。

两项技术共同指向AI时代基础设施升级方向。

清研电子正在以PIFs干法技术为核心，布局AI时代基础设施发展的关键环节。高端PTFE覆铜板面向AI服务器和高速通信领域，为算力系统提供高性能互联材料基础；干法基超级电容器则服务AIDC能源保障需求，为未来大规模智能计算提供高效、稳定的能源支撑。清研电子将持续围绕干法技术创新，推动高端电子材料与先进储能技术融合发展，打造服务AI产业链发展的关键技术能力，为中国算力基础设施建设提供底层支撑。